首次！特高压GIS隐蔽部位带电检测完成

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特高这归因于磁控溅射的高真空和铋的强抗氧化活性。本工作制造了基于S或LiFePO4(LFP)正极的全电池，压G隐蔽以研究Bi/Cu集流体在实际条件下的电化学性能。

此外，部位在形成Li簇后，LiBi中的局域电子仍然均匀分布在Bi原子周围，但电子似乎在LiAl中形成不利的偏析，表明LiBi合金更有利于锂簇的吸附和分解。 [成果简介]武汉理工大学赵文俞、带电赵焱和华中科技大学黄云辉课题组合作，带电提出通过在铜箔表面沉积Bi、Al或Au金属与锂进行原位合金化，制备具有电子局域化和高表面功函数的锂基超薄合金。虽然改性层非常薄，检测但铋的小粒径及其对铜箔粗糙表面的紧密粘附可以增强铜箔的机械变形性能，如应力-应变曲线所示（图2c）。

锂金属被认为是最终的负极材料，完成因为其理论比容量为3860mAhg-1，与标准氢电极相比具有极低的氧化还原电位(-3.04V)。显然，首次所有具有锂合金层的集电器在不同容量下都表现出更长的循环寿命。

特别是，特高由于局域电子可以有效保护锂负极，S||Bi/Cu-Li电池在0.2C的电流密度下提供736mAhg-1的比容量，具有稳定的CE，远高于466mAhg-1 S||Cu-Li电池(图5a)。

当在Li(001)表面上沉积Li簇时，压G隐蔽在完全弛豫后，Li簇被吸附在Li金属表面上，并且簇的结构仍然存在（图1a2），这导致了Li表面的尖端形状。夏天必须放在空调房中，部位否则容易猝死，非常娇贵

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